MDPmap單晶和多晶的少數(shù)載流子壽命測試設(shè)備介紹：

MDPmap設(shè)計用于離線生產(chǎn)控制或研發(fā)、測量少子壽命、光電導率、電阻率和缺陷信息等參數(shù)的小型臺式無觸點電特性測量儀器，在穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵下(μ-PCD)下工作。自動的樣品識別和參數(shù)設(shè)置允許在從原始生長晶片到高達95%金屬化晶片的各種工藝階段之后，容易地應用于包括外延層的各種不同樣品。

MDPmap的主要優(yōu)點是靈活性高。例如，它允許集成多達四個激光器，用于從超低注入到高注入的與注入水平相關(guān)的壽命測量，或者通過使用不同的激光波長提取深度信息。包括偏光設(shè)施，以及μ-PCD或穩(wěn)態(tài)注入條件的選擇?？梢允褂貌煌臏y量圖形進行客戶定義的計算，以及導出用于進一步評估的主要數(shù)據(jù)。對于標準測量，預定義的標準僅通過按一個按鈕即可實現(xiàn)常規(guī)測量。

MDPmap單晶和多晶的少數(shù)載流子壽命測試設(shè)備產(chǎn)品性能：

先進材料的研究和開發(fā)

靈敏度: 對外延層監(jiān)控和不可見缺陷檢測，

具有可視化測試的高分辨率

測試速度: < 5 minutes，6英寸硅片, 1mm分辨率

壽命測試范圍: 20ns到幾ms

玷污測試: 產(chǎn)生于坩堝和生產(chǎn)設(shè)備中的金屬沾污（Fe）

測試能力: 從切割的晶元片到所有工藝中的樣品

靈活性: 允許外部激發(fā)光與測試模塊進行耦合

可靠性: 模塊化緊湊型臺式檢測設(shè)備，使用時間> 99